1 方向耦合器波导耦合模理论
2 电光调制器关键结构优化
3 仿真结果与分析
3.1 S形弯曲余弦
3.2 方向耦合器
3.3 调制臂截面分析
4 结论
文章摘要:针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题,采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析,并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明:两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布,最小波导耦合长度随耦合间距的增大而增大。在调制臂长度为2 cm,光波长为1 550 nm时,仿真计算的半波电压值Vπ为0.9 V,半波电压长度积为1.8 V·cm,消光比达到26 dB。通过调制臂截面分析,得到静电场分量Ex,电位移矢量Dx,以及光模分布,并计算出电光重叠积分因子Γ为0.586。基于上述仿真结果,与以往现有的电光调制器的半波电压(1.4~10.2 V)相比,经优化后的电光调制器的半波电压更低,进而使器件的功耗更低,有利于大规模光电集成。
文章关键词:
论文DOI:10.13255/j.cnki.jusst.20201123002
论文分类号:TN15;TB383.2
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